除了3D NAND还有另一种技术可以解决存储容量的问题，成立于2010年的Crossbar专注于另一种解决方案——“电阻式随机存储记忆体” (resistive random access memory,简称RRAM)。虽然叫RAM，但这是一种“非易失性”的随机存取器，可以在切断外接供电的情况下保存信息。Crossbar的解决方案是 将RRAM堆成一个立方体状的结构，在三个维度上展开。这样单芯片上提供1TB的存储容量也在理论上有了可能，虽然说起来简单但在实际应用中会有点问题， “电流泄露”会让功耗大幅增加，甚至导致“硬盘”根本无法使用。

　 　不过Crossbar也找到了相应的解决方案，“采用多个并行传导路径来控制电流泄露，以限制阵列的最大规模和增加的功耗”。该技术被称作“单晶体管驱 动电子存储单元”(1 Transistor Driving n Resistive memory cell)，简称“1TnR”，可以将高达2000个存储单元连结到一起。这项技术已经通过了实验验证，而且这种设计可承受上亿次的使用周期，开关状态切 换的延时也只有50ns不到，在性能和耐用性上相比较现在的固态硬盘会有很大的提升。不过该公司并未透露有哪些客户对这项技术感兴趣，在2015年年末之 前，我们还无法在消费级零售市场见到相关产品。